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アンバッファータイプのCMOSインバータに、フィードバックをかけるとAFアンプに利用できることが知られています。 どの程度の特性なのか測定してみました。 趣味の範囲で理論無視です。掲載回路によって何らかの不利益等を被られましても責任を負いません。 |
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オープンゲインと周波数特性 フィードバック抵抗を3.3MΩと大きな値にして、ほぼオープン状態のゲインと周波数特性を測定しました。 <実験基板> ![]() <実験回路> ![]() <周波数特性>(入力レベル:-40dBm) ![]() 1kHzでのゲインは、33.5dBです。 <出力のFFT結果>(入力:1kHz SIN -40dBm) ![]() 2倍高調波が、−41dB(約0.9%)です。 入力抵抗&フィードバック抵抗とゲイン特性 <実験回路> ![]() <ゲイン特性>(入力:1kHz、sin) ![]() R2(フィードバック抵抗)/R1(入力抵抗)よりゲインが数dB低くなっていますが、オペアンプを用いた反転アンプのゲインと同様の計算でおおよその見当をつけられることがわかります。 フィードバックをかけた時の特性 フィードバックをかけ、ゲインを約20dBとした時の特性を測定しました。 <実験回路> ![]() <周波数特性>(入力レベル:-40dBmと-24.1dBm) −24.1dBmは上記のオープン状態時と出力レベルが同じになる入力レベルです。 ![]() 1kHzでのゲインは、17.5dBです。 <出力の波形とFFT結果>(入力:1kHz SIN) @入力−40dBm時
![]() 2倍高調波が、−63dB(約0.07%)です。 A入力−30dBm時
![]() 2倍高調波が、−53dB(約0.2%)です。 B入力−20dBm時
![]() 2倍高調波が、−43dB(約0.7%)です。 フィードバックをかけたことにより、オープン時と同じ出力レベル時においても、周波数特性、歪み率ともに良好になっています。 3段直結時の特性 アンバッファーのインバータではゲインがあまり大きくとれませんので、上記の47kΩでフィードバックをかけたものを、3段直結した時の特性を測定しました。 <実験基板> ![]() <実験回路> ![]() <周波数特性>(入力レベル:−50dBm) ![]() 1kHzでのゲインは、47.5dBです。 周波数特性はフラットで、ゲインが50dB近くとれていますので、マイクアンプ等に使用できそうです。 <出力の波形とFFT結果>(入力:1kHz SIN -50dBm)
![]() 2倍高調波が、−38dB(約1.2%)です。 FFT画面では出力レベルが−7.5dBとなっていますが、絶対値は周波数特性図の−2.5dBm、1.64Vp−pとなります。電源電圧が5Vですので「なかなか良好」な結果と考えられます。 <入力端子とGND間ショート時のノイズ波形とFFT結果>
![]() ノイズの主成分は電源ハムですので組み込み方によりさらに改善できると思われます。 何と言ってもCMOS IC:4049なら、パーツ屋さんで新品が50円程度で入手できるのがありがたいです。 |